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5625045IPD90R1K2C3BTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD90R1K2C3BTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD90R1K2C3BTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD90R1K2C3BTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 310µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    83W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD90R1K2C3
    IPD90R1K2C3-ND
    IPD90R1K2C3BTMA1TR
    IPD90R1K2C3TR-ND
    SP000413720
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    710pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    900V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 900V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.1A (Tc)

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IPD90P04P405ATMA1

IPD90P04P405ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD90N08S405ATMA1

IPD90N08S405ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD95R750P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 9A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD90P03P4L04ATMA1

IPD90P03P4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD90P04P4L04ATMA1

IPD90P04P4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD95R2K0P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 4A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPDD60R050G7XTMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPDD60R102G7XTMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD90P04P405AUMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPDD60R190G7XTMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

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vorrätig
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IPD95R450P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 14A TO252

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vorrätig
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IPD90P03P404ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPDD60R125G7XTMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPDD60R080G7XTMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD90N10S406ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

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IPDD60R150G7XTMA1

IPDD60R150G7XTMA1

Beschreibung: MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

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IPD90N10S4L06ATMA1

IPD90N10S4L06ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD95R1K2P7ATMA1

IPD95R1K2P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 6A TO252

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IPD90N06S4L06ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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