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3612965IPI028N08N3GHKSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI028N08N3GHKSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPI028N08N3GHKSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPI028N08N3GHKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    IPI028N08N3 G
    IPI028N08N3 G-ND
    SP000395160
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 80V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)

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IPI03N03LA

IPI03N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI045N10N3GXK

IPI045N10N3GXK

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI037N06L3GHKSA1

IPI037N06L3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI030N10N3GHKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPI024N06N3GXKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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IPI037N08N3GHKSA1

IPI037N08N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

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IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A

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IPI024N06N3GHKSA1

IPI024N06N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

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IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

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