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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPI070N06N G

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IPI070N06N G-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI070N06N G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPI070N06N G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPI070N06N G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

IPI070N06N G-ND
IPI070N06NG
SP000208612
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

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IPI086N10N3GXKSA1

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IPI072N10N3GXK

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IPI072N10N3GXKSA1

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