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2245332IPI60R520CPAKSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI60R520CPAKSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPI60R520CPAKSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 340µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO262-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    520 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    66W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    IPI60R520CP
    IPI60R520CP-ND
    SP000405872
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 6.8A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6.8A (Tc)
IPI60R165CPXKSA1

IPI60R165CPXKSA1

Beschreibung: HIGH POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R600CPAKSA1

IPI60R600CPAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R280E6XKSA1

IPI65R280E6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R199CPXKSA1

IPI60R199CPXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R310CFDXKSA1

IPI65R310CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R190C6XKSA1

IPI65R190C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R165CPAKSA1

IPI60R165CPAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R385CPXKSA1

IPI60R385CPXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R110CFDXKSA1

IPI65R110CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R250CPAKSA1

IPI60R250CPAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R199CPXKSA2

IPI60R199CPXKSA2

Beschreibung: HIGH POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R380C6XKSA1

IPI60R380C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R280C6XKSA1

IPI65R280C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R190CFDXKSA1

IPI65R190CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R299CPXKSA1

IPI60R299CPXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI60R280C6XKSA1

IPI60R280C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262

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IPI65R099C6XKSA1

IPI65R099C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 38A TO-262

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vorrätig
IPI60R190C6XKSA1

IPI60R190C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262

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