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4323295IPI80P04P4L04AKSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI80P04P4L04AKSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPI80P04P4L04AKSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH TO262-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +5V, -16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO262-3-1
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    SP000840198
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    176nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)
IPI90N06S4L04AKSA2

IPI90N06S4L04AKSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI80P04P4L06AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI90N06S404AKSA2

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_55/60V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI80N06S4L07AKSA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

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vorrätig
IPI80P03P405AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P4L08AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P407AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P03P4L04AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

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IPI80N07S405AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO262-3

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IPI80N06S4L07AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

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IPI90N04S402AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1

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IPI80N08S406AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO262-3

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IPI90R340C3XKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 15A TO-262

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IPI90R1K0C3XKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

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IPI80N08S207AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

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IPI80P03P4L07AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

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IPI80P04P405AKSA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI90N06S4L04AKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

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IPI90R1K2C3XKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

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