International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN80R3K3P7ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPN80R3K3P7ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

COOLMOS P7 800V SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS-konform
Datenblätte

IPN80R3K3P7ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223
Serie

CoolMOS™ P7
RoHS-Status

RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Verlustleistung (max)

6.1W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-223-3
Andere Namen

IPN80R3K3P7ATMA1-ND
IPN80R3K3P7ATMA1TR
SP001664992
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 1.9A (Tc) 6.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.9A (Tc)

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Das Folgende sind "IPN80R3K3P7ATMA1" -Einziper.

IPN70R600P7SATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPN80R3K3P7ATMA1

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