International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP50R199CPXKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP50R199CPXKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP50R199CPXKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 660µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

199 mOhm @ 9.9A, 10V
Verlustleistung (max)

139W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

550V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP50R199CPXKSA1" -Einziper.

IPP50R190CEXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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