International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R099P6XKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP60R099P6XKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP60R099P6XKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.21mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max)

278W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP001114650
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

37.9A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP60R099P6XKSA1" -Einziper.

IPP60R080P7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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