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IPS03N03LA G-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS03N03LA G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPS03N03LA G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPS03N03LA G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 70µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

115W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Andere Namen

IPS03N03LA G-ND
IPS03N03LAG
IPS03N03LAGX
SP000016404
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90A (Tc)

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