International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS105N03LGAKMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPS105N03LGAKMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPS105N03LGAKMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

38W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Andere Namen

IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 35A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Das Folgende sind "IPS105N03LGAKMA1" -Einziper.

IPS160HTR

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

IPS105N03LGAKMA1

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