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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS80R600P7AKMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPS80R600P7AKMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPS80R600P7AKMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO251-3
Serie

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.4A, 10V
Verlustleistung (max)

60W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

SP001644630
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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Das Folgende sind "IPS80R600P7AKMA1" -Einziper.

IPS70R600P7SAKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPS80R600P7AKMA1

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