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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU135N08N3 G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPU135N08N3 G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPU135N08N3 G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 33µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

IPU135N08N3 G-ND
IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPU135N08N3 G" -Einziper.

IPU20N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPU135N08N3 G

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