International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1010ESTRLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF1010ESTRLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF1010ESTRLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

200W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IRF1010ESTRLPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 84A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

84A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF1010ESTRLPBF" -Einziper.

IRF03ST821K

Beschreibung: IRF-3 820 10% RJ4

Hersteller: Dale / Vishay

vorrätig

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