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IRF1018ESLPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1018ESLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF1018ESLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF1018ESLPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

SP001550908
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

79A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

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