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605058

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3415L

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF3415L
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF3415L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

*IRF3415L
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

43A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

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IRF3415STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

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IRF3415PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB

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IRF3315STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

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IRF3315L

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

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IRF3515STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

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IRF3415S

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB

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IRF3415SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

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IRF3315S

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

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IRF3515STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

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IRF3415STRLPBF

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