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3521139IRF3704ZCSTRLP-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3704ZCSTRLP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRF3704ZCSTRLP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.55V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.9 mOhm @ 21A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    57W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1220pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 67A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    67A (Tc)
IRF3704ZSTRLPBF

IRF3704ZSTRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

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IRF3706

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB

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IRF3704STRLPBF

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IRF3706L

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 77A TO-262

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IRF3706PBF

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IRF3704ZSTRRPBF

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IRF3704ZSPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

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IRF3704ZPBF

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IRF3704L

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IRF3704PBF

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IRF3704ZCLPBF

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IRF3704SPBF

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IRF3704ZLPBF

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IRF3704STRR

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IRF3704ZCS

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IRF3704ZCSTRRP

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IRF3704STRRPBF

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IRF3706LPBF

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IRF3704STRL

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