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3662089IRF3707ZS-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3707ZS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRF3707ZS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.25V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 21A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    57W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    *IRF3707ZS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1210pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 59A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    59A (Tc)
IRF3707ZCSPBF

IRF3707ZCSPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

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IRF3707ZCL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A TO-262

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IRF3708L

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IRF3707ZL

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IRF3708

IRF3708

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB

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IRF3707ZCSTRRP

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IRF3708S

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

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IRF3707ZSTRR

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IRF3707ZSTRLPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A

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IRF3707ZLPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A TO-262

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IRF3707ZCLPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A TO-262

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IRF3707ZCSTRLP

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

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IRF3707ZSTRLP

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IRF3707ZSPBF

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IRF3708PBF

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IRF3707ZSTRL

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IRF3707ZCSTRR

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IRF3707ZSTRRP

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IRF3707ZPBF

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IRF3707ZCS

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