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654720IRF3709ZCSTRL-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3709ZCSTRL

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  • Artikelnummer
    IRF3709ZCSTRL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.25V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 21A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    79W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2130pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 87A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    87A (Tc)
IRF3709STRRPBF

IRF3709STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRF3709PBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

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IRF3709ZCL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 87A TO-262

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IRF3709ZL

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IRF3709ZSTRLPBF

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IRF3709ZSPBF

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IRF3709ZCLPBF

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IRF3709STRLPBF

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IRF3709STRR

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IRF3709ZCS

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IRF3709S

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IRF3709ZS

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IRF3709ZPBF

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IRF3709ZCSTRR

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IRF3709ZSTRRPBF

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IRF3709ZSTRR

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IRF3709SPBF

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