IRF5852TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF5852TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF5852TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Leistung - max

960mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

IRF5852TRPBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.7A
Basisteilenummer

IRF5852PBF

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Das Folgende sind "IRF5852TRPBF" -Einziper.

IRF6100

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF5852TRPBF

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