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IRF6643TR1PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6643TR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6643TR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6643TR1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ MZ
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric MZ
Andere Namen

IRF6643TR1PBFTR
SP001554104
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.2A (Ta), 35A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

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IRF6645

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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