International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6674TR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6674TR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6674TR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ MZ
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 13.4A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric MZ
Andere Namen

IRF6674TR1PBFTR
SP001571484
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.4A (Ta), 67A (Tc)

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IRF6678TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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