International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6709S2TR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6709S2TR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6709S2TR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET S1
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 21W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric S1
Andere Namen

IRF6709S2TR1PBFTR
SP001523938
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 12A (Ta), 39A (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta), 39A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF6709S2TR1PBF" -Einziper.

IRF6712STRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF6709S2TR1PBF

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