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IRF7422D2PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7422D2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7422D2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7422D2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP001577350
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.3A (Ta)

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