International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7464TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7464TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7464TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 720mA, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7464PBFTR
IRF7464TRPBF-ND
IRF7464TRPBFTR-ND
SP001554292
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.2A (Ta)

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Das Folgende sind "IRF7464TRPBF" -Einziper.

IRF7463TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7464TRPBF

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