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2202136

IRF7467TRPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7467TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7467TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7467TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7467TRPBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7466TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7466TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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