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2024303

IRF7495TRPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7495TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7495TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7495TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7495PBFTR
IRF7495PBFTR-ND
IRF7495TRPBF-ND
IRF7495TRPBFTR
SP001565412
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.3A (Ta)

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IRF7506TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8

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IRF7493PBF

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