IRF7701GTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7701GTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7701GTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

IRF7701GTRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "IRF7701GTRPBF" -Einziper.

IRF7703GTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7701GTRPBF

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