International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7739L1TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7739L1TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7739L1TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET L8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 mOhm @ 160A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric L8
Andere Namen

IRF7739L1TRPBF-ND
IRF7739L1TRPBFTR
SP001555546
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11880pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 46A (Ta), 270A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

46A (Ta), 270A (Tc)

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IRF7749L1TRPBF

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies

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