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6154048IRF9388TRPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9388TRPBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRF9388TRPBF
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IRF9388TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 12A, 20V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    IRF9388TRPBFDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 20V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Ta)

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IRF9383MTR1PBF

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IRF9395MTRPBF

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IRF9389TRPBF

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

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IRF9333TRPBF

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

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IRF9362TRPBF

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