1998862

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB23N15DPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB23N15DPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFB23N15DPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

*IRFB23N15DPBF
SP001566508
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFB23N15DPBF" -Einziper.

IRFB17N50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFB23N15DPBF

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