International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5210TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH5210TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH5210TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

IRFH5210TRPBF-ND
IRFH5210TRPBFTR
SP001556226
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 10A (Ta), 55A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta), 55A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFH5210TRPBF" -Einziper.

IRFH5220TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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