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1840547IRFH5302DTR2PBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5302DTR2PBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRFH5302DTR2PBF
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IRFH5302DTR2PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.35V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PQFN (5x6) Single Die
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.6W (Ta), 104W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    IRFH5302DTR2PBFCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3635pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    29A (Ta), 100A (Tc)

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IRFH5301TR2PBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

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IRFH5303TRPBF

IRFH5303TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

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IRFH5303TR2PBF

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