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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH6200TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH6200TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH6200TR2PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 150µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 156W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

IRFH6200TR2PBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

49A (Ta), 100A (Tc)

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Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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