IRFH7187TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH7187TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 18A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH7187TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.6V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (5x6)
Serie

FASTIRFET™, HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 132W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

SP001566852
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2116pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 18A (Ta), 105A (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Ta), 105A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFH7187TRPBF" -Einziper.

IRFH7440TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFH7187TRPBF

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