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IRFH7921TR2PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH7921TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH7921TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH7921TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (5x6) Single Die
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

IRFH7921TR2PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 15A (Ta), 34A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Ta), 34A (Tc)

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN

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