International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8311TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH8311TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH8311TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 96W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-TQFN Exposed Pad
Andere Namen

IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4960pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Ta), 169A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFH8311TRPBF" -Einziper.

IRFH7932TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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