IRFR9N20DTRPBF

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2000+

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFR9N20DTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFR9N20DTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (max)

86W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IRFR9N20DTRPBF-ND
IRFR9N20DTRPBFTR
SP001552256
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.4A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFR9N20DTRPBF" -Einziper.

IRFRC20TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFR9N20DTRPBF

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