International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFS31N20DTRL

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFS31N20DTRL
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRFS31N20DTRL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 200W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

31A (Tc)

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IRFS3107TRL7PP

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies

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