International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFS38N20DPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFS38N20DPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFS38N20DPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

64-2129PBF
64-2129PBF-ND
Q3139980
SP001571754
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

43A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFS38N20DPBF" -Einziper.

IRFS33N15DPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFS38N20DPBF

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