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IRFU3709ZPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU3709ZPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFU3709ZPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFU3709ZPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

IPAK (TO-251)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

*IRFU3709ZPBF
SP001552414
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2330pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 86A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

86A (Tc)

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IRFU3706-701PBF

IRFU3706-701PBF

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IRFU3709Z-701P

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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