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IRG8CH29K10F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRG8CH29K10F
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IRG8CH29K10F.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 25A
  • Testbedingung
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    40ns/245ns
  • Schaltenergie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    SP001536690
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • Gate-Ladung
    160nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT 1200V Surface Mount Die

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Das Folgende sind "IRG8CH29K10F" -Einziper.
IRG8CH106K10F

IRG8CH106K10F

Beschreibung: IGBT 1200V 110A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH37K10F

IRG8CH37K10F

Beschreibung: IGBT 1200V 100A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH20K10D

IRG8CH20K10D

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH97K10F

IRG8CH97K10F

Beschreibung: IGBT 1200V 100A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH10K10F

IRG8CH10K10F

Beschreibung: IGBT 1200V 5A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8B08N120KDPBF

IRG8B08N120KDPBF

Beschreibung: DIODE 1200V 8A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8P15N120KDPBF

IRG8P15N120KDPBF

Beschreibung: IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH137K10F

IRG8CH137K10F

Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH15K10F

IRG8CH15K10F

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH15K10D

IRG8CH15K10D

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH42K10F

IRG8CH42K10F

Beschreibung: IGBT 1200V 40A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH29K10D

IRG8CH29K10D

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH20K10F

IRG8CH20K10F

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8P15N120KD-EPBF

IRG8P15N120KD-EPBF

Beschreibung: IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH42K10D

IRG8CH42K10D

Beschreibung: IGBT 1200V 40A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8P08N120KDPBF

IRG8P08N120KDPBF

Beschreibung: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH76K10F

IRG8CH76K10F

Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH184K10F

IRG8CH184K10F

Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG8CH50K10F

IRG8CH50K10F

Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG8P08N120KD-EPBF

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Beschreibung: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD

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