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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL8113L

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250+

$2.564

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Spezifikation

Artikelnummer

IRL8113L
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRL8113L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

*IRL8113L
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

105A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

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IRL8113STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

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