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IRLHS6242TR2PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHS6242TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLHS6242TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLHS6242TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-PQFN (2x2)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-PowerVDFN
Andere Namen

IRLHS6242TR2PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta), 12A (Tc)

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