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IRLML6402TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLML6402TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLML6402TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Micro3™/SOT-23
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

IRLML6402PBFTR
SP001552740
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A (Ta)

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Das Folgende sind "IRLML6402TRPBF" -Einziper.

IRLMS2002TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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