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IRLR024NTRLPBF

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    IRLR024NTRLPBF
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    45W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SP001568558
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    480pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Tc)
IRLR024NPBF

IRLR024NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

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IRLR024TRR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

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IRLR014TRR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

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IRLR024ZPBF

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IRLR014TRL

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IRLR014TRLPBF

IRLR014TRLPBF

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IRLR024NTRL

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IRLR024PBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

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IRLR024

IRLR024

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IRLR024NTRR

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IRLR024TRL

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IRLR014PBF

IRLR014PBF

Beschreibung:

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IRLR014TR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

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IRLR024TR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

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IRLR024TRPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

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IRLR014TRPBF

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IRLR024TRLPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

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IRLR024NTRRPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

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IRLR024NTRPBF

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Hersteller: Infineon Technologies
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IRLR014NTRR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

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