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IRLR3717TRLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLR3717TRLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLR3717TRLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SP001567384
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 120A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "IRLR3717TRLPBF" -Einziper.

IRLR4343-701PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRLR3717TRLPBF

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