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SIDC105D120H8X1SA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIDC105D120H8X1SA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIDC105D120H8X1SA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.41V @ 45A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sawn on foil
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    SP000978580
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 200A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    27µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    200A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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SIDC14D120H6X1SA1

SIDC14D120H6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC14D120F6X1SA3

SIDC14D120F6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC08D60C6

SIDC08D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC08D120F6X1SA3

SIDC08D120F6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC14D60E6X1SA1

SIDC14D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC07D60F6X1SA2

SIDC07D60F6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC10D120H8X1SA2

SIDC10D120H8X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC14D60C6Y

SIDC14D60C6Y

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC14D60C6

SIDC14D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC09D60E6YX1SA1

SIDC09D60E6YX1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC110D170HX1SA2

SIDC110D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC10D120H6X1SA5

SIDC10D120H6X1SA5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC09D60E6 UNSAWN

SIDC09D60E6 UNSAWN

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC11D60SIC3

SIDC11D60SIC3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC07D60E6X1SA1

SIDC07D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC09D60F6X1SA2

SIDC09D60F6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC09D60E6X1SA1

SIDC09D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC14D120E6X1SA4

SIDC14D120E6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC08D60C6Y

SIDC08D60C6Y

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC08D120H6X1SA1

SIDC08D120H6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

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