International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI07N60C3HKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPI07N60C3HKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPI07N60C3HKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 350µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3-1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (max)

83W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.3A (Tc)

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SPI07N65C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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