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2996123

International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI10N10

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Spezifikation

Artikelnummer

SPI10N10
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPI10N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 21µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3-1
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.8A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

SP000013846
SPI10N10X
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

426pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.3A (Tc)

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Das Folgende sind "SPI10N10" -Einziper.

SPI100N03S2L-03

SPI100N03S2L-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI10N10L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI15N60C3HKSA1

SPI15N60C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 15A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI07N60S5HKSA1

SPI07N60S5HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI100N03S2L03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI08N80C3XKSA1

SPI08N80C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI08N50C3XKSA1

SPI08N50C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI07N65C3HKSA1

SPI07N65C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N65C3XKSA1

SPI11N65C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI100N08S2-07

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI08N80C3

SPI08N80C3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI08N50C3HKSA1

SPI08N50C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI12N50C3HKSA1

SPI12N50C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N60CFDHKSA1

SPI11N60CFDHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N65C3HKSA1

SPI11N65C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N60S5BKSA1

SPI11N60S5BKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N60C3HKSA1

SPI11N60C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI100N03S2-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI12N50C3XKSA1

SPI12N50C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262

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