International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI80N08S2-07R

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Spezifikation

Artikelnummer

SPI80N08S2-07R
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

SPI80N08S2-07R.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

SP000013717
SPI80N08S207R
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "SPI80N08S2-07R" -Einziper.

SPI80N06S2L-11

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI80N08S2-07R

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